国内*一的 DRAM 芯片存储基地传来好消息。据行业公众号问芯Voice，昨日（28日），合肥长鑫第二期12寸厂房举行奠基仪式。据悉，新厂房是为未来进入1y nm以下工艺节点（接近15nm工艺）所做的前期准备。

　　据长鑫规划，*一个量产的工艺节点是19nm（10G1工艺），目前正在研发17nm（10G3工艺），之后拟研发10G4工艺节点（接近国际大厂15nm/1y nm工艺）。这次举行奠基仪式的二期厂房，主要生产10G4工艺技术以下芯片。另外，公司计划今年完成17nm工艺DDR5 和LPDDR5芯片研发。

　　若合肥长鑫成功实现规划，有望跻身三星、SK 海力士、美光全球三大DRAM巨头之列，成为第四大DRAM芯片厂。

　　受终端产品需求旺盛、数据中心回温带动，存储需求大幅拉高，推动存储器产业持续成长。

　　存储大厂美光CEO看高产业存储需求，指出NAND和DRAM供给面紧俏态势将延续至2022年。广发证券分析师蒲得宇、张晓飞也认为，由于买方急于欲拉高DRAM库存，DRAM价格已正式进入上涨周期。

　　DRAM Q2报价涨幅已进入全年峰值，从4月至6月累计涨幅将达到20-25%。不过，由于供需缺口持续拉大，分析师相继看好价格上扬空间，认为涨势并没有就此止步。

　　研究机构TrendForce表示，存储器原厂库存偏低，DRAM原厂平均库存仅3-4周，预估Q3整体DRAM价格将续涨约3-8%；IC Insights也上调对产值预估，预期全年将成长41%，并看好下半年价格继续上涨。

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