如果为风水轮流转添加注解，那么存储芯片领域则是*佳实例，而如果为“打脸”戏码寻找主角，存储芯片业内厂商们则当仁不让，如果美日韩均曾经或正是存储王者，后进者诸如长鑫又凭什么不能去争一争！

　　彼时，包括英特尔、IBM、摩托罗拉、美光、Mostek National以及德州仪器在内的厂商，铸就美国包括DRAM在内的整个内存领域霸业。

　　上世纪70年代中期，日本半导体灵魂人物垂井康夫率领日立、NEC、富士通、三菱与东芝，以政府贷款与税费优惠等措施，向美国发起饱和攻击，仅用了10年时间便占据内存领域50%市场份额，从美国手中夺下皇冠。

　　几乎与日本内存产业腾飞同一时期，韩国破釜沉舟并以10年的******性投资，且正值美国对日本发起反倾销，日本半导体出口受到美国毁灭打击，三星借此借此崛起，将日本赶下半导体神坛，同样也包括存储芯片市场。

　　美国、日本与韩国在存储领域多次起承转合的王者更迭，目前在DRAM市场已形成三巨头的寡头垄断局面。截止目前，三星市占达43.9％，紧随其后的是SK海力士（29.5％）与美光（23.5%），三家总市占接近97%。

　　如果此时提及中国存储芯片厂商冲击韩国三星们的市场地位，可能会显得不合时宜。但回溯到上世纪60至90年代，又有谁想到，日本在内存方面击败美国后，随后惨败给韩国？

　　正如海外知名半导体论坛分析师Robert Maire所言，考虑当前主流存储厂商仍挣扎于市场供过于求旋涡中时，以及全球政治局势与资本倾斜，有理由相信，以合肥长鑫为首的DRAM厂商，有较大机会突出重围，挑战韩国霸主地位。

　　长江存储、合肥长鑫与福建晋华被称为中国存储三剑客，是本土半导体打破海外厂商垄断的希望。前者聚焦NAND闪存芯片的研发与生产，而后两家企业的业务则针对DRAM存储器。

　　2018年11月，由于与美国DRAM存储器巨头美光之间的诉讼纠纷，福建晋华被美国列入出口管制的实体名单，台湾联电随即宣布暂停对其提供技术与研发支撑，直接导致晋华生产与运营陷入停滞状态。

　　而彼时，晋华生产车间内已有200台设备就绪，并计划在1个月后的年底投入小规模量产试验，官方预计今年初可实现量产，并有很大机会成为首家量产DRAM存储器的本土厂商。

　　至此，长鑫成为本土DRAM突围短期内*一的希望。今年9月，长鑫宣布12英寸DRAM生产线已经提前投产，据悉投产的DDR4芯片通过了多个国内外大客户验证，将于年底正式交付，这将有助于替代进口DRAM。

　　另外，正如长鑫董事长兼CEO朱一明表示，公司底层技术来自奇梦达（Qimonda），后者自2006年从母公司英飞凌剥离后一路开挂，DRAM产品销量并稳居全球第二，300mm晶圆领导者和PC及服务器DRAM产品市场*大的供应商之一，戏剧化的是三年后其申请破产。

　　长鑫通过与奇梦达的合作，共将一千多万份DRAM相关的技术文件（大小约2.8TB）收入囊中，截止目前共有1.6万项专利申请，据悉长鑫方面随后对部分技术细节进行修改，以规避美国方面的实体名单出口制裁。

　　综上，长鑫由于可追溯的专利技术，以及提前在风险规避方面的布局方面，因此其在中美贸易战不稳定局势下，仍具备相对稳定的发展空间。

　　技术方面，目前长鑫面对的*大质疑为奇梦达技术聚焦在沟槽式路线，长鑫作为继承者却选择堆栈式技术方向。其实，奇梦达早前已提出过埋入式电栅三极管（Buried Word Line Transistor）的概念，*大限度提升三极管性能，而奇梦达可能只是生不逢时。

　　堆栈式架构在2018年成为主流，奇梦达基于埋入式电栅三极管的46nm产品，在当时已完成研发。但同年金融危机的爆发，致使DRAM价格断崖式下滑，奇梦达堆栈式技术还未正式进入量场阶段，便于2009年宣告破产，随后该项技术/方案被无限期雪藏。

　　业内人士称，通过对比三星、SK海力士与美光的主流DRAM产品与方案，均与早前奇梦达的堆栈式架构有异曲同工之妙，包括DRAM单元三极管以及蜂窝式电容结构等，也从另一角度说明各厂商间的殊途同归。

　　而值得一提的是，长鑫从奇梦达手中接过堆栈式架构的相关技术专利，并通过引入双重图案对准（SADP）以及四重图案对准（SAQP）等技术，并从内外双面电容逐渐走到外部的单面积电容（柱状电容），成功将奇梦达的46nm平稳推进至10nm。

　　此外，先进晶圆代工工艺在摩尔定律影响下，已发展至5nm及以下制程，DRAM工艺不可避免的也将走向10nm 以下。因此，开发环绕式三节晶体管结构 GAA（Gate-all-around）以及其他新型的存储器技术等是大势所趋。

　　长鑫方面的消息是，该公司已开始在HKMG、EUV和GAA等新技术方面的探索。长鑫采用从研发到生产的IDM（Integrated Device Manufacture）的模式。截止目前，一期厂房设计月产能12万片12英寸晶圆，装机月产能2万片，正在评估年底月产能4万片的可行性。

　　目前来看，长鑫在产能为每月2万片，与巨头三星们的不可同日而语。但无法忽视的是中国厂商在技术与生产层面达到相应水平后，不计成本以占领市场份额的激进方式，以及本土市场强大的需求与消化能力。因此，市场潜力也是分析师Robert Maire看好长鑫的主要原因。

　　此外，鉴于传统DRAM厂商追逐利润的运营模式，在产能保证前提下，如果长鑫强势发起市场攻占策略，之于原本脆弱的DRAM供需市场将是重磅******，若传统厂商保持价格不变来应对，直接的后果则是新一轮DRAM产品大规模堆积。

　　三星在行业低谷期多次利用“反周期”定律，加剧行业亏损，迫使同行业企业破产，*终牢牢占据行业头把交椅。而可以预知的是，在不远的将来，长鑫也将由可能具备向三星发起以其人之道还治其人之身的挑战。

　　产能方面，中国具有实现包括DRAM在内的存储芯片量产的能力。举个简单的例子，中国市场占据美国半导体系统控制与产出管理设备厂商KLA全年营收的1/3，但中国厂商的半导体相关产出却没有达到全球1/3的规模，特别是在DRAM在内的存储芯片领域的产能。

　　因此，该现象说明在半导体生产设备的利用率方面，中国厂商还存在巨大的进步空间，但是随着设备利用与磨合的进一步深入，本土厂商在短时间内，仍有较大机会在现有设备资源情况下，释放相当大部分的产能。

　　复盘DRAM历史发展，审视以长鑫为代表的本土厂商，拥抱主流技术（堆栈式架构）与创新型存储技术的引入，本土强劲的内需驱动，技术专利纠纷风险的规避，以及生产设备释放的产能潜力。

　　因此，与其唱衰，不如多点阳光，以梦为马，静候长鑫在DRAM市场突出重围的好消息。

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