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合肥长鑫二期厂房奠基 下一工艺节点进入前期准备 存储芯片国产化顺利推进

admin8个月前 (09-16)未命名395

  国内*一的 DRAM 芯片存储基地传来好消息。据行业公众号问芯Voice,昨日(28日),合肥长鑫第二期12寸厂房举行奠基仪式。据悉,新厂房是为未来进入1y nm以下工艺节点(接近15nm工艺)所做的前期准备。

  据长鑫规划,*一个量产的工艺节点是19nm(10G1工艺),目前正在研发17nm(10G3工艺),之后拟研发10G4工艺节点(接近国际大厂15nm/1y nm工艺)。这次举行奠基仪式的二期厂房,主要生产10G4工艺技术以下芯片。另外,公司计划今年完成17nm工艺DDR5 和LPDDR5芯片研发。

  若合肥长鑫成功实现规划,有望跻身三星、SK 海力士、美光全球三大DRAM巨头之列,成为第四大DRAM芯片厂。

  受终端产品需求旺盛、数据中心回温带动,存储需求大幅拉高,推动存储器产业持续成长。

  存储大厂美光CEO看高产业存储需求,指出NAND和DRAM供给面紧俏态势将延续至2022年。广发证券分析师蒲得宇、张晓飞也认为,由于买方急于欲拉高DRAM库存,DRAM价格已正式进入上涨周期。

  DRAM Q2报价涨幅已进入全年峰值,从4月至6月累计涨幅将达到20-25%。不过,由于供需缺口持续拉大,分析师相继看好价格上扬空间,认为涨势并没有就此止步。

  研究机构TrendForce表示,存储器原厂库存偏低,DRAM原厂平均库存仅3-4周,预估Q3整体DRAM价格将续涨约3-8%;IC Insights也上调对产值预估,预期全年将成长41%,并看好下半年价格继续上涨。

  存储芯片市场集中度较高,市场中DRAM产品占比约53%,NAND则约为42%。据川财证券数据显示,我国存储芯片市场规模已从2015年的45.2亿美元增长至2020年的183.6亿美元,预计2024年将突破500亿美元。

  然而,存储器行业目前主要被海外公司垄断,大陆进入产业较晚,因此作为全球存储*大市场,自给率水平较低。针对这一现状,国家已出台《国家信息化发展战略刚要》《中国制造2025》等一系列产业政策,支持存储产业发展。

  这次合肥长鑫的DRAM扩产、先进工艺制程研发的举动,无疑是为国产化注入一剂强心剂。方正证券分析师陈杭曾指出,短期内我国DRAM自主化*大的希望就是合肥长鑫。

  上市公司中,兆易创新与合肥长鑫发挥优势互补,于 2020 年 4 月签署了《框架采购协议》《代工服务协议》及《产品联合开发平台合作协议》日常交易框架协议,推动双方在DRAM产品销售、代工及工程端的紧密合作;

  安集科技的抛光液产品在中芯国际、长江存储等大客户均规模放量,兴业证券此前预计,公司今年也将在合肥长鑫快速上量,后者有望成为第三大客户;

  晶瑞股份的i线光刻胶已向合肥长鑫、中芯国际、士兰微、扬杰科技等行业头部客户供货;

  鼎龙股份抛光垫产品已通过长江存储、武汉新芯、中芯国际、合肥长鑫等国内主流晶圆厂的认证。

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